细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
sic深加工
半导体碳化硅(SiC) 关键设备和材料技术进展的详解；
2024年2月18日 Sic 晶锭切割设备 针对SiC晶锭硬度大、易碎等难点,过去行业研发出了多种切割技术,现阶段主流的SiC晶锭切割技术为砂浆线和金刚石线切割。 国外主要的多线切割设备厂家包括日本高鸟、瑞士Meryer 2024年1月26日 半导体碳化硅 (SiC)是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 SiC 四面体。 而碳化硅 (SiC)晶体，就是由碳原子和硅原子有序 碳化硅 (SiC)半导体结构及生长技术的详解 九域半导 2024年2月1日 半导体碳化硅 (SiC) 衬底加工技术进展详解； 经过单晶生长获得SiC晶碇后，紧接着就是 SiC 衬底的制备，通常需要历经磨平、滚圆、切割、研磨（减薄)、机械抛 半导体碳化硅(SiC) 衬底加工技术进展详解； 知乎专栏2022年11月29日 介绍了SiC国内外加工技术的研究现状，分析和对比了切割、研磨、抛光加工工艺的机理及晶片平整度、粗糙度的变化趋势，并指出SiC单晶片加工过程中存在的问题和未来的发展趋势。关键词：SiC晶 SiC晶片加工技术现状与趋势
碳化硅介绍：三种SiC衬底制作方法对比 电子发烧友网
2023年7月7日 碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。 相比传统的硅材料（Si），碳化硅的禁 2016年3月9日 SiC器件关键工艺 SiC材料的特殊性和特殊的器件用途与使用环境，使得SiC器件的制作工艺与Si以及GaAS器件工艺存在一定的差异，因此要研制高质量的SiC器 深入探讨碳化硅工艺：半导体材料的新一代继承者 世强硬 2 天之前 碳化硅衬底切割技术是将SiC晶锭沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。将SiC晶锭切成翘曲度小、厚度均匀的晶片。切割方式和切割质量影响晶片的厚度、粗糙度、尺寸、耗损度及生产成本等。 在碳化硅器件成 顺应降本增效趋势，半导体碳化硅(SiC) 衬底4种切割 2022年12月1日 碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介 一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区
SiC器件晶圆的研削 研削 解决方案 DISCO
SiC晶圆（silicon carbide，碳化硅）作为高耐压、低功率损耗的半导体材料，广泛用于功率器件。 SiC功率器件一般具有垂直型器件结构，通过减薄其晶圆的厚度可以降低衬底基板的电阻从而提高能量转换效率。 但相较 2022年10月18日 し、SiC に関するレーザ加工はSiC 結晶を対象とした報 告が主流で、SiC セラミックスについては加工（ダメージ） 閾値フルーエンスやアブレーション率（レーザ1 照射あた りに掘れる深さ）のレーザフルーエンス依存性などの加工難加工材 SiC セラミックスのレーザアブレーションと レーザ 2021年2月5日 总之，复合材料的性能受SiC含量的影响最为显著，在对不同体分、不同应用、不同结构要求的SiC P /Al复合材料进行加工时，需要在不同加工阶段选取合适高效高质量的加工方式。 因此，本文通过对现有SiC P /Al复合材料复合加工技术进行研究，分析对比主要加工技术的长处，力求为SiC P /Al复合材料 SiCP/Al复合材料复合加工技术研究进展 汉斯出版社株式会社 寿原テクノス 福岡ファクトリーは、ガラス、セラミックス細穴加工、深穴加工のプロフェッショナル。RsJAPANは、一般的なガラス加工方法として、「超音波スピンドル」を皆さまに認識いただき、さらなる 株式会社 寿原テクノス 福岡ファクトリー 石英ガラ
下一代碳化硅沟槽器件技术技术文章频道《化合物半导体》
2023年9月19日 九峰山实验室聚焦于下一代SiC 沟槽器件领域的研究，集中资源开发了SiC 沟槽器件制备中的沟槽刻蚀、高温栅氧、离子注入等关键核心单点工艺，形成了自主可控的成套工艺技术。接下来，本文将围绕下一代SiC 沟槽器件技术，介绍业界在二极管及MOSFET 器件上的相关研究进展与阶段性成果。SiSiC 加工内容 SiSiC素材拡散接合による溝形状、深穴形状形成 備考 開発している拡散接合は、「異なる形状の部材を中間材を使用せずに接合する」ことができます。 母材特性を維持しつつ、機械加工では困難な形状を作り出せることが魅力です。SiSiC素材 拡散接合 トップ精工2024年6月11日 炭化ケイ素 (SiC) は、その高い硬度と熱伝導率により、電子産業や工業用セラミックスなど、多岐にわたる分野で重要な役割を果たしています。本記事では、炭化ケイ素の基本的な特性と、レーザー加工、マシニング加工、放電加工といった高精度な加工方法について詳しく解説します。炭化ケイ素 (SiC) の特性と加工方法の詳細ガイド2022年12月1日 为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介绍SiC器件制造中的离子注入工艺和激活退火工艺。 离子注入是一种向半导体材料内部加入特定数量和种类的杂质，以改变其电学性能的方法，可以精确控制杂质的掺入量和分布情况。一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区
碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势 艾邦半导体网
1 天前 摘要 碳化硅衬底难加工的材料特性叠加其大尺寸化、超薄化的放大效应，给现有的加工技术带来了巨大的挑战，高效率 磨削可以获得较低的表面粗糙 度，但是存在超细磨料砂轮制作成本高及制作难度大，且加工后仍然会存在亚微米深 的裂纹 2020年8月19日 この加工でも深さ、形状の点で図2 とほぼ同様の結果が得ら れている。サンプルの温度は150℃以下であり、目的とした温度 SiCエッチングに関し、当社では2 つの視点から取り組んでい る。ビアホール加工等の高速ディープエッチング、及び SiO2、SiC高速エッチングプロセスデータ摘要 SiC是一种新型的半导体材料,由于化学性质十分稳定,目前还未发现有哪种酸或碱能在室温下对其起腐蚀作用,因此,在SiC的加工工艺中常采用干法刻蚀。 采用GSE 200plus刻蚀机对SiC进行刻蚀,研究了刻蚀气体、源功率RF1、射频功率RF2及腔室压强对刻蚀结果的 4HSiC ICP深刻蚀工艺研究【维普期刊官网】 中文期刊 碳化硅 (SiC) 陶瓷代表了一种先进的技术陶瓷，以其卓越的硬度、高导热性以及强大的耐热冲击和耐磨性而闻名。这些品质使它们广泛适用于各种工业环境。 SiC 陶瓷的 加工越来越受到青睐，可用于制造切削刀具、耐 陶瓷 加工综合指南 Runsom Precision
基于SiCCNT复合材料的高深宽比表面微加工加速度计
2024年3月24日 碳化硅 (SiC) 被认为是微机电系统 (MEMS) 的优异材料，特别是在高温、高辐射和腐蚀环境等挑战性环境中运行的微机电系统。然而，SiC体微加工仍然是一个挑战，阻碍了复杂SiC MEMS的发展。为了解决这个问题，我们提出使用涂有非晶 SiC (aSiC sic加工工艺百度文库 1 切割 切割是SIC加工的首要步骤，主要用于将原始SIC材料切割成所需的形状和尺寸。 常用的切割方法包括磨削切割、线切割和激光切割。 其中，磨削切割是最常见的方法，通过 2021年11月24日 介绍了SiC国内外加工技术的研究现状，分析和对比了切割、研磨、抛光加工工sic深加工sic深加工sic深加工我们已与文献出版商建立了直接购买合作。 你可以通过身份认证进行实名认证，认证成功后本次下载的费用将由您所在的图书馆支付 您可以直接购买此文献，1~5即可下载全文，部分资源由于网络原因可能需要更长时间，请您耐心等待哦~2DC/SiC高速深磨磨削特性及去除机制 百度学术2020年3月17日 复合材料加工过程中，磨削方向的改变会影响加工过程中纤维与界面的失效形式，从而导致加工表面质量的差异。磨削加工过程中，磨粒动态冲击载荷作用下，由于纤维强度低于基体强度，因此沿典型方向磨削时纤维的去除规模明显大于基体的去除规模。纤维方向对单向C/SiC复合材料磨削加工性能的影响
第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 知乎
2019年9月5日 缺乏更高效的碳化硅单晶衬底加工 技术。碳化硅单晶衬底材料线切割工艺存在材料损耗大、效率低等缺点，必须进一步开发大尺寸碳化硅晶体的切割工艺，提高加工效率。衬底表面加工质量的好坏直接决定了外延材料的表面缺陷密度，而大尺寸 2022年10月26日 ^1沟槽型SiC MOSFET 工艺流程 在提高 SiC 功率器件性能方面发挥重要作用的最重要步骤之一是器件制造工艺流程。 SiC功率器件在用作n沟道而不是p沟道时往往表现出更好的性能；为了获得更高的性能，该器件需要在低电阻率的 p 型衬底上外延生长。沟槽型SiCMOSFET工艺流程及SiC离子注入 电子工程专辑 2017年3月15日 在径向切深 方向上的铣削力误差低于9．5％，均高 于经验公式的预测精度。"" 刀具磨损 精度。"" 刀具磨损 增强相对刀具的高频冲击和刻划以及高速切削 时高温热的冲击会导致加工SiC p／Al复合材料的刀 碳化硅增强铝基复合材料切削加工研究进展 chinatool2022年10月28日 然而，由于SiC晶体具有高硬、高脆、耐磨性好、化学性质极其稳定的特点，这使得SiC晶片的加工 粒径的金刚石或B4C抛光液，对SiC晶片进行机械抛光加工后，晶片表面的平面度大幅改善，但加工表面存在很多划痕，且有较深 的残留应力层和机械 sic半导体工艺制作流程 亿伟世科技
SiCなど高精度セラミック研削加工ならモリセ精工へ
アルミナ・ジルコニア・窒化ケイ素・炭化ケイ素などの高精度、難形状のセラミック切削加工品をご提供します。モリセ精工はテスト・試作加工から量産品まで他社で断れたことのなるような難加工品の切削加工が得意です。セラミック切削加工品ならモリセ精工へお任せく 2020年12月30日 碳化硅器件是一种极具潜力应用于高温环境下的半导体器件这是因为3CSiC在高温下具有良好的物理化学性质,如22eV的宽能隙、适中的电子迁移率等然而SiC器件与Si器件一样,其刻蚀工艺是SiC器件在微细加工中形成图形所必不可少的一项重要工艺技术环 碳化硅(SiC)器件制造工艺中的干法刻蚀技术材料2023年7月7日 其中PVT法是现阶段商业化生长SiC衬底的主流方法，技术成熟度最高、工程化应用最广。 图表5：三种SiC衬底制作方法对比 晶体加工：通过晶锭加工、晶棒切割、研磨、抛光、清洗等环节，将碳化硅晶棒加工成衬底。 图表6：SiC衬底工艺流程碳化硅介绍：三种SiC衬底制作方法对比 电子发烧友网碳化硅主要由SiC组成，是耐腐蚀性优越陶瓷材料，可用在机械密封和泵零部件中。在高达1400 机加工 尺寸精度 当机加工陶瓷要求尺寸精度时，京瓷能够实现下表中的公差值。如需要精度更高的公差，请联系我司 碳化硅精密陶瓷（高级陶瓷）京瓷 KYOCERA
锌的深加工产品 豆丁网
2011年5月28日 ZnOw SiC Mpa 深加工 系统标签： 技术新 产品 材料 电子存储器 总产量 产业 锌的产业链延伸锌的产业链延伸1、有金属产业链2、国内外新材料的发展趋势与状况21国外材料新材料产业发展趋势22国内材料产业发展状况3、锌的消费结构4、锌的深加工 石川技研工業株式会社の製品情報に関するページです。ファインセラミックス部品の研削加工メーカー。SiC、ALN、アルミナ、ジルコニア、窒化珪素、超硬、フェライト等の、微細穴加工、薄板加工、高精度の対応が可能。短納期、小ロット生産でお客様の多様なニーズにお答えします。技術紹介｜石川技研工業株式会社加工物表面を軟質層へと改質し，その層を砥粒によって効 率良く除去することで加工が進行する．SiCの加工速度が 遅いのは，その薬液に対する化学的安定性のため，表面の 改質が進行しにくいためであるとされ，表面改質の促進が次世代パワーデバイス用SiC基板の研磨技術*2023年3月7日 得益于工艺简单、操作便捷、设备要求低等优点，湿法腐 蚀已作为晶体缺陷分析、表面改性的常规工艺手段，应用到了 SiC 晶体生长和加工中的质量检测以及 SiC 器件制造。根据腐蚀机制不同，湿法腐蚀可以分为电化学腐蚀和化学腐蚀。碳化硅湿法腐蚀工艺研究、碳化硅（SiC）、法腐蚀工艺
10余家企业参与，5年内碳化硅（SiC）将全面入8英寸时代
受益新能源车爆发，碳化硅功率器件市场迅速增长。有机构预测，2025 年新能源车 + 光伏逆变器市场需求达 261 亿元，20212025 年 CAGR=79%。 2025 年 SiC 在新能源车渗透率达 60%，预计 6 英寸 SiC 衬底需求达 587 万 片 / 年，市场空间达 231 亿元。成本高 2024年5月19日 这是由于 SiC 晶体硬度高、脆性大、化学性质稳定，受加工技术的制约，目前 SiC 衬底的加工损耗极高、效率极低，并且很难获得高表面质量的SiC衬底片,因此,亟需开发先进的衬底加工工艺。SiC衬底的加工主要分为切割、研磨和抛光，下面将展开具体分析。半导体碳化硅 (SiC) 衬底加工介绍上海陶瓷展聚展碳化矽（Silicon Carbide，SiC）微鑽孔加工：加工痛點 碳化矽（SiC, Silicon Carbide）材料的硬度僅次於金剛石和碳化硼，具 高硬度 及 高耐磨性。碳化矽材料在 化學、機械上性能穩定，其 低耗能、高功率、耐高溫、耐腐蝕及耐磨耗 的特性，使其成為熱門的 第三代半導體材料 碳化矽(SiC) : 微鑽孔加工 漢鼎智慧科技｜超音波加工 2022年11月29日 SiC单晶的硬度极高，化学稳定性高，传统加工半导体材料的方法不完全适用于SiC单晶的加工。国际上各专业公司已对SiC单晶加工的高难度技术进行了大量研究，但对相关技术严格保密。近年来，我国 SiC晶片加工技术现状与趋势
第三代半導體的明日之星SiC碳化矽 漢民科技
漢民科技為了發展第三代半導體，成立SiC部門專責研發SiC技術，自行設計長晶爐 (6″ SiC Furnace)，經過2000℃2500℃的長時間長晶 (SiC Boule) 完成，晶錠開始定位加工 (SiC Boule Machining)，成為標準圓柱形，接著 入して，低抵抗n型SiCを形成する研究が進められてい る．p型SiC成長層に30～200keV程度のエネルギーで多 段階注入を行って，矩形分布を形成し（注入深さ02～03 μm），アニール後にホール効果測定により注入層の電気的S i C プロセス技術2023年2月8日 本文介绍了 4HSiC 中位错的基本概念,以及 4HSiC 衬底和外延薄膜中的各种位错的 密度控制状况,详细讲述了 4HSiC 单晶生长、晶片加工以及同质外延过程中位错的产生、转变和湮灭机 理,并概述了位错对 4HSiC 衬底和外延层的电学和光学性质的影响,以及位错4H碳化硅单晶中的位错 知乎2018年7月27日 我国石英矿资源丰富，区域分布较广，但杂质种类多且赋存状态复杂。近年来，石英砂提纯及深加工技术研究主要围绕选矿提纯（物理法、化学法、生物法和联合提纯法）、硅微粉加工（超细粉碎、球形化处理）和表面改性等方面展开。技术 石英砂提纯与深加工技术要点！
SiCP/Al复合材料复合加工技术研究进展 hanspub
2023年12月22日 SiC P/Al 复合材料复合加工技术进行研究，分析对比主要加工技术的长处，力求为SiC P/Al 复合材料复合 加工技术的创新应用做些有意义的工作。 2 SiC P/Al 复合材料电加工技术 表1 列举了基于SiC P/Al 复合材料的三种常用电加工技术。2 天之前 纳秒脉冲激光激光隐形切割近几年在硅晶圆和蓝宝石的切割上得到了快速发展和应用，但在加工碳化硅（SiC ）过程中，脉冲持续时间远长于碳化硅中电子和声子之间的耦合时间（皮秒量级），因此会产生较大的热效应，晶圆的高热量吸收不仅使 顺应降本增效趋势，半导体碳化硅(SiC) 衬底4种切割技术详解株式会社ティ・ディ・シー（TDC）で行うSiCの研磨加工の特徴や概要、加工事例をご紹介します。とくにSiCウェハはラッピングやポリッシングといった研磨技術が重要となります。TDCでこれまでに培ってきた研磨技術や独自の開発技術を用いてSiC研磨の課題を解決し SiCの性質・用途の解説 研磨加工事例の紹介 精密研磨加工 2023年4月，科友半导体8英寸SiC 中试线正式贯通并进入中试线生产，打破了国际在宽禁带半导体关键材料的限制和封锁 、蓝宝石、金刚石等新材料领域，深化上下游产业链合作，向上游装备制造和下游晶体材料深加工 国内SiC碳化硅衬底20强 艾邦半导体网
シリコンウェハ、SiC、マシナブルセラミックの面直微細穴加工
SUS420 ヘリカルミーリング微細溝加工、SiC 微細くし歯加工 高アスペクト比、微細穴、順テーパ加工と穴径精度の安定性 タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムの加工事例 SUS420 微細穴、420焼入れ 異形穴、SKD11焼入れ 微細ラック形状、プラチナ 2022年10月18日 し、SiC に関するレーザ加工はSiC 結晶を対象とした報 告が主流で、SiC セラミックスについては加工（ダメージ） 閾値フルーエンスやアブレーション率（レーザ1 照射あた りに掘れる深さ）のレーザフルーエンス依存性などの加工難加工材 SiC セラミックスのレーザアブレーションと レーザ 2021年2月5日 总之，复合材料的性能受SiC含量的影响最为显著，在对不同体分、不同应用、不同结构要求的SiC P /Al复合材料进行加工时，需要在不同加工阶段选取合适高效高质量的加工方式。 因此，本文通过对现有SiC P /Al复合材料复合加工技术进行研究，分析对比主要加工技术的长处，力求为SiC P /Al复合材料 SiCP/Al复合材料复合加工技术研究进展 汉斯出版社株式会社 寿原テクノス 福岡ファクトリーは、ガラス、セラミックス細穴加工、深穴加工のプロフェッショナル。RsJAPANは、一般的なガラス加工方法として、「超音波スピンドル」を皆さまに認識いただき、さらなる 株式会社 寿原テクノス 福岡ファクトリー 石英ガラ
下一代碳化硅沟槽器件技术技术文章频道《化合物半导体》
2023年9月19日 九峰山实验室聚焦于下一代SiC 沟槽器件领域的研究，集中资源开发了SiC 沟槽器件制备中的沟槽刻蚀、高温栅氧、离子注入等关键核心单点工艺，形成了自主可控的成套工艺技术。接下来，本文将围绕下一代SiC 沟槽器件技术，介绍业界在二极管及MOSFET 器件上的相关研究进展与阶段性成果。SiSiC 加工内容 SiSiC素材拡散接合による溝形状、深穴形状形成 備考 開発している拡散接合は、「異なる形状の部材を中間材を使用せずに接合する」ことができます。 母材特性を維持しつつ、機械加工では困難な形状を作り出せることが魅力です。SiSiC素材 拡散接合 トップ精工2024年6月11日 炭化ケイ素 (SiC) は、その高い硬度と熱伝導率により、電子産業や工業用セラミックスなど、多岐にわたる分野で重要な役割を果たしています。本記事では、炭化ケイ素の基本的な特性と、レーザー加工、マシニング加工、放電加工といった高精度な加工方法について詳しく解説します。炭化ケイ素 (SiC) の特性と加工方法の詳細ガイド2022年12月1日 为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介绍SiC器件制造中的离子注入工艺和激活退火工艺。 离子注入是一种向半导体材料内部加入特定数量和种类的杂质，以改变其电学性能的方法，可以精确控制杂质的掺入量和分布情况。一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区
碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势 艾邦半导体网
1 天前 摘要 碳化硅衬底难加工的材料特性叠加其大尺寸化、超薄化的放大效应，给现有的加工技术带来了巨大的挑战，高效率 磨削可以获得较低的表面粗糙 度，但是存在超细磨料砂轮制作成本高及制作难度大，且加工后仍然会存在亚微米深 的裂纹 2020年8月19日 この加工でも深さ、形状の点で図2 とほぼ同様の結果が得ら れている。サンプルの温度は150℃以下であり、目的とした温度 SiCエッチングに関し、当社では2 つの視点から取り組んでい る。ビアホール加工等の高速ディープエッチング、及び SiO2、SiC高速エッチングプロセスデータ摘要 SiC是一种新型的半导体材料,由于化学性质十分稳定,目前还未发现有哪种酸或碱能在室温下对其起腐蚀作用,因此,在SiC的加工工艺中常采用干法刻蚀。 采用GSE 200plus刻蚀机对SiC进行刻蚀,研究了刻蚀气体、源功率RF1、射频功率RF2及腔室压强对刻蚀结果的 4HSiC ICP深刻蚀工艺研究【维普期刊官网】 中文期刊
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