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细粉加工设备(20-400目)

我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备,拥有多项国家专利,能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目,是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。

超细粉加工设备(400-3250目)

LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术,专注于400-3250目范围内超细粉磨加工,细度可调可控,突破超细粉加工产能瓶颈,是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。

粗粉加工设备(0-3MM)

兼具磨粉机和破碎机性能优势,产量高、破碎比大、成品率高,在粗粉加工方面成绩斐然。

氮化硅粉氮含量

  • 氮化硅粉化工百科 ChemBK

    2024年1月2日  以硅粉为原料,在氮气中及1200℃的高温下进行初步氮化,使其中一部分硅粉与氮反应生成氮化硅,然后在1350~1450℃的高温炉中进行第二次氰化,反应成氮化 1970年1月1日  分享 摘要: 氮化硅陶瓷不仅具有较高的力学性能还具有良好的透波性能、导热性能以及生物相容性能,是公认的综合性能最优的陶瓷材料。 作为轴承球的致密氮化硅 氮化硅陶瓷在四大领域的研究及应用进展 CERADIR 先进 氮化硅粉体的形貌特征是其微观结构的重要指标。 硅粉氮化法制备的氮化硅粉体,其形貌特征可以通过电子显微镜等仪器进行表征和观测,以获取其颗粒形态和分布情况。 52 粒 硅粉氮化法制备的氮化硅粉体指标 百度文库摘要 研究了表面氧含量对高纯硅原料在氮氢气氛下直接氮化行为的影响,并合成高α相氮化硅。研究结果表明,硅粉在氮氢气氛下1 350 ℃保温3 h,氮化产物中αSi 3 N 4 含量随原料氧 表面氧含量对高纯硅粉高温氮化行为的影响

  • 氮化硅陶瓷介绍与应用 CERADIR 先进陶瓷在线

    2020年11月7日  反应烧结氮化硅是将硅粉按制品形状要求成型后,在氮化炉中加热氮化,此法氮化后产品为α相和β相的混合物,其产品尺寸和素坯尺寸基本相同,也就是说,反应前后坯体体积基本上不变。 这是本工艺的一 氮化硅(Si(3)N(4))因具有耐高温,耐磨损,耐腐蚀,抗热震,抗氧化等优良性能,广泛应用于热交换器轴承,高温组件,发动机和燃气轮机等氮化硅的制备方式有多种,目前工业大规模生产 硅粉氮化制备氮化硅的机理研究进展 百度学术2016年11月17日  摘 要:采用化学原位还原法将Ni 纳米颗粒均匀负载于Si 粉表面,研究了Ni 纳米催化剂用量对不同温度(1 200~1 400 ℃) 时Si 粉的氮化行为的影响及Si3N4粉体的形 Ni 纳米颗粒催化氮化反应制备氮化硅粉体摘要: 研究了硅粉直接氮化反应合成氮化硅粉末的工艺因素 (包括硅粉粒度、氮化温度、成型压力、稀释剂含量等),借助XRD,SEM等测试手段测定和观察了氮化产物的物相组成和断 硅粉直接氮化反应合成氮化硅研究 jtxb

  • 氮化硅粉末化工百科 ChemBK

    2024年1月2日  以硅粉为原料,在氮气中及1200℃的高温下进行初步氮化,使其中一部分硅粉与氮反应生成氮化硅,然后在1350~1450℃的高温炉中进行第二次 氰化,反应成氮化硅。或者以二氧化硅、氮气和炭为原料,将硅石与碳按一定比例充分混合,通入氮气加热 2022年1月10日  高温下氧会溶于晶格,取代氮原子生成硅空位,形成声子传播过程中的散射中心,影响氮化硅导热性能。粉体氧含量越低,制备的陶瓷综合性能越好。王月隆等选取初始氧含量为121wt%的氮化硅粉体,在 氮化硅的氧化行为,必须搞懂! 学粉体氮化硅是由硅元素和氮元素构成的化合物。 在氮气气氛下,将单质硅的粉末加热到13001400°C之间,硅粉末样品的重量随着硅单质与氮气的反应递增。在没有铁催化剂的情况下,约7个小时后硅粉样品的重量不再增加,此时反应完成生成Si 3 N 4。 [2] 除了Si 3 N 4 外,还有其他几种硅的氮化物(根据氮化 氮化矽 Wikiwand2024年1月2日  以硅粉为原料,在氮气中及1200℃的高温下进行初步氮化,使其中一部分硅粉与氮反应生成氮化硅,然后在1350~1450℃的高温炉中进行第二次 氰化,反应成氮化硅。或者以二氧化硅、氮气和炭为原料,将硅石与碳按一定比例充分混合,通入氮气加热 氮化硅化工百科 ChemBK

  • 【原创】 浅述三大类氮化硅陶瓷烧结助剂 中国粉体网

    2022年5月26日  液相烧结需要烧结助剂的加入,为了提高氮化硅 的性能,添加合适的烧结助剂来调节液相的组成以及含量非常重要。 ,研究者们使用了稀土氧化物代替金属氧化物作为烧结助剂,在晶界中发现了稀土元素和硅氧氮形成的结晶相,制备出了性能 2023年3月9日  氮化硅简介 氮化硅的结构 氮化硅(Si3N4)是一种由硅和氮组成的共价键化合物,有α、β两种晶型。αSi3N4为颗粒结晶,βSi3N4为针状结晶体,两者均属六方晶系。 氮化硅的诞生1857年亨利爱丁圣克莱尔德维尔和氮化硅材料的性能特点及其应用简介 知乎2023年7月25日  氮化硅粉体是制备氮化硅陶瓷的关键原料,其性能是影响氮化硅坯体成型、烧结的关键因素,对最终氮化硅陶瓷产品的致密度、力学性能等都具有重要影响。 1、氮化硅陶瓷对粉体的要求 (1)粒子的分散性高,均质性好 对氮化硅粉体是制备氮化硅陶瓷的关键原料 知乎2021年10月8日  氮化硅造粒粉外观检验,在光线良好的状况下目测表观颜色及颗粒杂质情况。 13 松装密度 氮化硅造粒粉松装密度检验按GB/T 310571 规定的方法进行。 14 粉体流动性 氮化硅造粒粉粉体流动性检验按GB/T 310573 规定的方法进行。 15 含水量协会标准《氮化硅造粒粉》 编制说明(送审稿)

  • 氮化硅粉化工百科 ChemBK

    2024年1月2日  以硅粉为原料,在氮气中及1200℃的高温下进行初步氮化,使其中一部分硅粉与氮反应生成氮化硅,然后在1350~1450℃的高温炉中进行第二次 氰化,反应成氮化硅。或者以二氧化硅、氮气和炭为原料,将硅石与碳按一定比例充分混合,通入氮气加热 2018年6月27日  三、介孔氮氧化硅材料 目前,国内外对介孔氮氧化硅材料的研究相对较少,主要集中在研究制备高氮含量的有序介孔氮氧化硅。介孔氮氧化硅材料工艺过程是首先采用先合成介孔氧化硅和介孔含铝氧化硅 一文了解氮氧化硅材料制备方法及应用粉体资讯粉 2016年11月17日  材料在制备过程中存在氮化温度高和Si 粉氮化不 完全等问题,因此研究人员普遍尝试以微米级金属 或金属氧化物为催化剂,采用催化氮化法来制备 Si3N4 [8–13]。 目前,Si 粉催化氮化的机理尚未正式定论,液 相的存在被认为是Si 粉催化氮化过程中的关键因 Ni 纳米颗粒催化氮化反应制备氮化硅粉体氮化硅微粉制备技术研究现状及进展(2)激光气相反应法(LICVD)激光气相反应合成Si3N4粉末法是以CO2激光器作为 高频等离子体化学气相淀积方法以四氯化硅及氨为原材料,合成了粒度小、粒径分布均匀、含氮量为363%的无定形氮化硅 粉末。 氮化硅微粉制备技术研究现状及进展 百度文库

  • 硅粉直接氮化反应合成氮化硅研究 jtxb

    摘要: 研究了硅粉直接氮化反应合成氮化硅粉末的工艺因素(包括硅粉粒度、氮化温度、成型压力、稀释剂含量等),借助XRD,SEM等测试手段测定和观察了氮化产物的物相组成和断口形貌研究结果表明:硅粉在流动氮气氛下,高于1200℃氮化产物中氮含量明显增加;在氮化反应同时还伴随着硅粉的熔结过程,它 摘要点击次数: 2088 全文下载次数: 549 中文摘要: 研究了表面氧含量对高纯硅原料在氮氢气氛下直接氮化行为的影响,并合成高α相氮化硅。研究结果表明,硅粉在氮氢气氛下1 350 ℃保温3 h,氮化产物中αSi 3 N 4 含量随原料氧含量的增加呈先增加后减少的趋势,当硅原料表面氧含量为391%时,氮化产物中αSi 3 N 表面氧含量对高纯硅粉高温氮化行为的影响Effects of 2023年1月18日  内容提示: ICS77 040CCS H17中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准GB/ T42276 — 2022氮化硅粉体中氟离子和氯离子含量的测定 离子色谱法 GBT 422762022氮化硅粉体中氟离子和氯离子含量的测定 氮化硅粉作为一种现代工业的新型材判广泛应用于陶瓷、耐火、钢铁冶金、有色冶炼、橡胶等行业。如: D、氮化硅在单位质量氮含量中仅次于氮化硼,价格较低,在增氮方面有非常高的性价比。 3)由于该产品在新型陶瓷以及复合材料方面有很好的应用 氮化硅粉 氮制品产品中心 安阳市中豫锦明硅业有限公司

  • 日本宇部UBE氮化硅粉 产品中心

    含氮量:382% 金属杂质含量:见当批生产后的检测报告 a相含量:>95% D50: 05um 比表面积:1324m2/g 外观:灰白色粉末 保存期: 干燥环境下保存一年 应用 : 1 高性能氮化硅陶瓷结构件,氮化硅陶瓷轴承球原料 2 太阳能多晶硅铸锭用石英坩埚涂层粉 4硅粉氮化法制备的氮化硅粉体,其氮化硅含量应符合特定的要求,通常要求氮化硅含量高于995。32 杂质含量另外,氮化硅粉体中的杂质含量也是重要的指标之一。杂质对氮化硅粉体的性能和应用效果有着重要影响,因此需要对氮化硅粉氮化法制备的氮化硅粉体指标 百度文库2024年9月3日  中国粉体网讯 9月2日上午,在“招商突破年、变革创新年、环境提升年”月度工作推进活动上,总投资99亿元的40个优质产业项目集中签约。 其中,氮化硅新材料生产项目总投资 10亿元,主要建设 氮化硅粉体产线,其中一期项目计划投资5亿元,项目全部达产后预计可实现年产值6亿元。10亿元!氮化硅新材料项目签约桐乡中粉先进陶瓷行业门户一种高氮钛硅合金联产氮化钛粉体的制备方法 专利文件 法律状态 同族专利 引用专利 著录项 PDF 申请号: CN 公开(公告)号 : 代理人: 王立普 39分 查看我和他的匹配度(0100%) 代理机构: 北京高沃律师事务所 29分 客户忠诚度 IPC分类号: C22C 1/02; 一种高氮钛硅合金联产氮化钛粉体的制备方法 专利顾如

  • 碳热还原氮化制备氮化硅粉体 反应条件研究木

    2010年5月4日  法¨6。"]。其中,碳热还原氮化法具有生产成本低、生产规模大、产品质量较高等优点,是氮化硅粉体生 产中具有很大潜力和广阔前景的合成方法¨8‘191。碳热还原氮化法制备氮化硅粉体常伴随着碳化 硅和氧氮化硅的生成,影响了氮化硅粉体纯度。本摘要: 本发明公开一种降低碳化硅粉体中氮杂质含量的方法,属于晶体生长领域,该方法采用了高温时与氮元素发生化学反应的除氮物质,所形成的氮化物在碳化硅合成温度范围内以稳定的形态存在,有效避免氮杂质进入碳化硅晶格中,突破了目前传统的碳化硅原料合成方式,实现了低氮含量的碳化硅原料 一种降低碳化硅粉体中氮杂质含量的方法 百度学术2021年9月8日  氮化硅粉体具有纯度高、含氮量高、粒度分布窄、烧结活性高等特点。针对不同领域的应用要求,本公司开发出一系列不同档次的氮化硅粉体产品,可广泛应用于高技术结构陶瓷、各种耐磨材料、耐火材料等诸多领域。氮化硅粉 安阳市定兴冶金耐材有限责任公司摘要: 以平均粒径为 2 8Lm 的硅粉为原料, 添加氮化硅粉作为稀释剂, 对常压氮气下 直接氮化制 备 S i N4 粉的工艺 3 进行了研究, 借助于氮氧测定仪、 XRD、 SEM 等检 测方法, 分析 了硅粉 常压直 接氮化 制备 S i3 N4 粉过程 中稀 释剂种 类、 稀释剂添加比例、 氮化温度、 氮化时间等因素对硅的氮化过程的 硅粉常压直接氮化制备氮化硅粉的研究 百度文库

  • 球磨介质对氮化硅粉体的微观形貌和表面氧化硅层的影响

    2023年6月25日  23 颗粒微观形貌 球磨时间为8 h时不同球磨介质制备的Si 3 N 4 粉体的SEM图像如图4所示。 由图4(a)可见,Si 3 N 4 原料的粒径约为450 μm,颗粒呈长条状,相互缠绕且尖锐,且存在严重团聚和粒径分布不均匀现象, 这是因为利用自蔓延合成法或硅粉氮化法在高温下制备出的Si 3 N 4 粉体易于团聚; 由图4(b)、 (c)可见 2015年6月2日  当氮含量超过其在硅中的固溶度时,便会有氮化硅析出。硅中氮化硅主要以杆状的βSi 3 N 4 为主 [29],并且形成于硅熔体的固液界面处,而不是在硅凝固后形成 [13]。其直径一般为微米级,但长度可达到毫米级 [25]。太阳能级硅中轻质元素 (C,N,O)研究进展2021年1月15日  该方法比较简单,成本较低,将金属硅粉置于氮气或者氨气的气氛下加热,金属硅粉与氮源直接反应生成氮化硅粉 体。其反应方程式如下 碳热还原法所用的原料成本较低,制备的粉末产品粒度小,反应速度快,αSi3N4含量 氮化硅粉末常用的6种制备方法反应2019年7月31日  不同频率下,氢和氮结合形式不同,利用高、低 频交替沉积氮化硅薄膜就显得十分必要。2 实验结果与分析 21 氮化硅沉积工艺 采用高低频交替生长氮化硅,20 s为一个周 期,温度为300℃,硅烷采用5% SiH4与氮气的 混合气,具体工艺参数见表1,其中编号PECVD氮化硅薄膜性质及工艺研究

  • 氮化硅粉 – 阳乐陶瓷

    氮化硅粉是各类氮化硅陶瓷、LED荧光粉、高导热橡塑填料、光伏脱模剂的基本原料。拥有多种规格价位的氮化硅粉可供选择,也可为指定用途开发生产特殊规格氮化硅粉。 氮 化 硅 粉 牌 号 表2024年9月4日  日本宇部UBE氮化硅粉 产品名称 日本宇部UBE氮化硅粉 公司名称 合肥艾嘉新材料科技有限公司 价格 140000/千克 规格参数 品牌:宇部UBE 粒径:07um 型号:SNE10日本宇部UBE氮化硅粉氮化硅陶瓷,是一种烧结时不收缩的无机材料陶瓷。氮化硅的强度很高,尤其是热压氮化硅,是世界上最坚硬的物质之一。具有高强度、低密度、耐高温等性质。Si3N4 陶瓷是一种共价键化合物,基本结构单元为[ SiN4 ]四 氮化硅陶瓷 百度百科2022年12月13日  从原料粉体上降低晶格氧目前有两种方法:一种是直接使用氮化硅粉(αSi 3 N 4 粉或βSi 3 N 4 粉)进行烧结;另一种是使用高纯度的硅粉为原料,经过硅粉的氮化和重烧结两步工艺获得高致密、高导热的氮化硅陶瓷。制备高导热氮化硅陶瓷基板的“拦路虎”——晶格氧中粉先进

  • 铁纳米颗粒催化氮化硅粉 豆丁网

    2015年8月30日  纳 米 颗 粒 用 量 、氮 化温度及氮化时 间等对硅粉催化 氮 化 过 程 的 影 响 ,并 在 此 基 础 上 研 究 产 物 中 Si3N4 晶 须 的 生 长 机 理 。 先 通过单质硅粉表面的 静电吸附使 Fe 3+ 附 着 在 硅 粉 表 面 ,然 后 通 过 NaBH4 液 相 原 位 还2015年2月11日  此法所得粉末纯度高、颗粒细、αSi3N4含量高、反应吸热,不需要分阶段氮化,氮化速度比硅粉直接氮化法快。反应中需要加入过量的碳以保证二氧化硅完全反应,残留的碳在氮化以后经600 ℃燃烧可排除,有可能产生SiO、SiN,要对组分和温度加以严格控 氮化硅微粉制备技术研究现状及进展 技术进展 中国粉体 2024年8月27日  纳米氮化硅粉体(Si3N4) 规格: A+ 产地: 中国 包装: 根据客户要求 数量: 不限 产品说明: 参数指标: 纯度: >99%, 总氧含量:01% 含氮量:378% 总金属杂质含量: 500ppm D50: 40nm 比表面积:7687m2/g 外观:灰白粉末 保存期: 干燥环境下保存二年 性能:尺寸稳定性好,机械强度高,耐化学腐蚀性能好 纳米氮化硅粉体 (Si3N4)产品库中国粉体网生产氮化铝的烧结过程中,氧化物对于良好的烧结是必要的。但氧会降低最终产品的性能,氧含量需要精确管控。EMGA920在保持AIN中氧测定所需精度的同时可精确测量高含量的氮 生产氮化铝的烧结过程中,氧化物对于良好的烧结是必要的。氮化铝中氧和氮的测定 Horiba

  • GB/T 422632022 硅单晶中氮含量的测定 二次离子质谱法 标准

    2024年8月12日  GB/T 411532021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法 GB/T 389762020 硅材料中氧含量的测试 惰性气体熔融红外法 DB64/T 182912022 宁夏“六新”产业高质量发展标准体系 第1部分:新型材料 SJ/T 114932015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法 GB/T 391442020 氮化镓材料中镁含量的测定 二次 10亿元!氮化硅新材料项目签约桐乡 2024/09/03 点击 1126 次 中国粉体网讯 9月2日上午,在“招商突破年、变革创新年、环境提升年”月度工作推进活动上,总投资99亿元的40个优质产业项目集中签约。 其中,氮化硅新材料生产项目总投资 10亿元,主要建设 氮化硅粉体产线,其中一期项目计划投资5亿元 10亿元!氮化硅新材料项目签约桐乡中国纳米行业门户2024年1月2日  以硅粉为原料,在氮气中及1200℃的高温下进行初步氮化,使其中一部分硅粉与氮反应生成氮化硅,然后在1350~1450℃的高温炉中进行第二次 氰化,反应成氮化硅。或者以二氧化硅、氮气和炭为原料,将硅石与碳按一定比例充分混合,通入氮气加热 氮化硅粉末化工百科 ChemBK2022年1月10日  高温下氧会溶于晶格,取代氮原子生成硅空位,形成声子传播过程中的散射中心,影响氮化硅导热性能。粉体氧含量越低,制备的陶瓷综合性能越好。王月隆等选取初始氧含量为121wt%的氮化硅粉体,在 氮化硅的氧化行为,必须搞懂! 学粉体

  • 氮化矽 Wikiwand

    氮化硅是由硅元素和氮元素构成的化合物。在氮气气氛下,将单质硅的粉末加热到13001400°C之间,硅粉末样品的重量随着硅单质与氮气的反应递增。在没有铁催化剂的情况下,约7个小时后硅粉样品的重量不再增加,此时反应完成生成Si3N4。除了Si3N4外,还有其他几种硅的氮化物(根据氮化程度和硅的 2024年1月2日  以硅粉为原料,在氮气中及1200℃的高温下进行初步氮化,使其中一部分硅粉与氮反应生成氮化硅,然后在1350~1450℃的高温炉中进行第二次 氰化,反应成氮化硅。或者以二氧化硅、氮气和炭为原料,将硅石与碳按一定比例充分混合,通入氮气加热 氮化硅化工百科 ChemBK2022年5月26日  氮化硅的烧结通常采用液相烧结的方式,更容易致密和各方面性能最优化。液相烧结需要烧结助剂的加入,为了提高氮化硅的性能,添加合适的烧结助剂来调节液相的组成以及含量非常重要。【原创】 浅述三大类氮化硅陶瓷烧结助剂 中国粉体网2023年3月9日  氮化硅简介 氮化硅的结构 氮化硅(Si3N4)是一种由硅和氮组成的共价键化合物,有α、β两种晶型。αSi3N4为颗粒结晶,βSi3N4为针状结晶体,两者均属六方晶系。 氮化硅的诞生1857年亨利爱丁圣克莱尔德维尔和氮化硅材料的性能特点及其应用简介 知乎

  • 氮化硅粉体是制备氮化硅陶瓷的关键原料 知乎

    2023年7月25日  氮化硅粉体是制备氮化硅陶瓷的关键原料,其性能是影响氮化硅坯体成型、烧结的关键因素,对最终氮化硅陶瓷产品的致密度、力学性能等都具有重要影响。 1、氮化硅陶瓷对粉体的要求 (1)粒子的分散性高,均质性好 对2021年10月8日  氮化硅造粒粉外观检验,在光线良好的状况下目测表观颜色及颗粒杂质情况。 13 松装密度 氮化硅造粒粉松装密度检验按GB/T 310571 规定的方法进行。 14 粉体流动性 氮化硅造粒粉粉体流动性检验按GB/T 310573 规定的方法进行。 15 含水量协会标准《氮化硅造粒粉》 编制说明(送审稿)2024年1月2日  以硅粉为原料,在氮气中及1200℃的高温下进行初步氮化,使其中一部分硅粉与氮反应生成氮化硅,然后在1350~1450℃的高温炉中进行第二次 氰化,反应成氮化硅。或者以二氧化硅、氮气和炭为原料,将硅石与碳按一定比例充分混合,通入氮气加热 氮化硅粉化工百科 ChemBK